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本测试实验室供给专业的半导体特性评价,包罗静态特性、静态特性和热特性。除供给建模测试数据和建造分立器件规格书中,我们借能完成一些非凡的测试项目,诸如TVS器件的S21MOSFET器件的dv/dt和三极管的fT。鉴于各家客户的需求难以同一,我们会正在充实评价项目的难度和工时后给出正式报价。

本测试实验室可供给的服务项目拜见表一、表两和表三。

表一  二极管相干测试项目

测试种别

测试项目

 

参数

标记

电性能参数

静态参数

正向电压

VF

1.        可供给下高温(-40 200)测试成果

2.        可供给测试曲线或波形

3.        DC类:Imax=400AVmax=3000V

4.        AC类:Imax=1000AVmax=1200V

反向泄电

IR

反向击穿电压

VBR

正向均匀电流

IFAV

静态参数

结电容

CJ

反向恢复时间相干参数

Trr/Ta/Tb/S

反向规复峰值电流

Irm

反向规复电荷

Qrr

电压变革率

dv/dt

热性能参数

耗散功率

PD

 

结到情况热阻

Rthj-a

 

结到壳热阻

Rthj-c

按照封装差别,大概为j-l

其他非凡参数

插入损耗

S21

 

箝位电压

Vc

8/20μs10/1000μs

静态电阻

RDYN

TLP测试

单脉冲雪崩能量

EAS

 

 

表两  三极管相干测试项目

测试种别

测试项目

 

参数

标记

电性能参数

静态参数

各种击穿电压

V(BR)CEO/V(BR)CBO/V(BR)EBO

1.        可供给下高温(-40 200)测试成果

2.        可供给测试曲线或波形

3.        DC类:Imax=400AVmax=3000V

4.        AC类:Imax=1000AVmax=1200V

各种泄电

ICEO/ICBO/IEBO

静态电流增益

hFE

基极-发射极导通电压

VBE(on)

各类饱和压降

VBEsat/VCE(sat)

静态参数

各种电容

Cobo/Cibo/Cre

延迟时间

Td

上升时间

Tr

存储工夫

Ts

降落工夫

Tf

热性能参数

耗散功率

PD

 

结到情况热阻

Rthj-a

 

结到壳热阻

Rthj-c

 

其他非凡参数

增益带宽积(特点频次)

fT

 

插入功率增益

S21e2

 

噪声系数

NF

高频

 

表三  MOSFET/IGBT相干测试项目

测试种别

测试项目

 

参数

标记

电性能参数

静态参数

各种击穿电压

V(BR)DSS/V(BR)GSS

1.        可供给下高温(-40200℃)测试成果

2.        可供给测试曲线或波形

3.        DC类:Imax=400AVmax=3000V

4.        AC类:Imax=1000AVmax=1200V

5.        标记上IGBTVDMOS之间的更换干系:

C(集电极)=D(漏极);E(发射极)=S(源极)

各种泄电

IDSS/IGSS

栅极阈值电压

VGSth

导通电阻

RDS(on)

饱和压降

VCE(sat)

二极管正向压降

VSD/VF

静态参数

正向跨导

Gfs

栅极电阻

Rg

输入、输出、反向转移电容

Ciss/Coss/Crss

有用输出电容

Coer/Cotr

开关时间

Td(on)/Tr/Td(off)/Tf

导通消耗

Eon/Eoff

反向恢复时间相干参数

Trr/Ta/Tb/S/Irrm/Qrr

栅极电荷

Qg/Qgs/Qgd

短路电流、漏极脉冲电流

Isc/IDM

热性能参数

耗散功率

PD

结到情况热阻

Rthj-a

结到壳热阻

Rthj-c

其他非凡参数

单脉冲雪崩能量

EAS

阐明:TOSMD有夹具,其他封装必要建造配套夹具(用度另计)。

 

变形金刚:

联系人:周密斯

TEL0571-86714088-6192

Emailzhoujun@silanic.com.cn

 

 
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